Abstract

• ZEP520A: Resin, Molecular weight: 57000, Viscosity: 11 mPa*s, Solvent: Anisol, ποσότητα (100ml)
• ZED-N50: Developer, Composition: n-Amyl Acetate, ποσότητα (4L)
• ZDMAC: Remover, Composition: Dimethylacetamide, ποσότητα (4L)

Technical Characteristics

Η ρητίνη ZEP520A  είναι μια ρητίνη υψηλής επίδοσης οι οποία παρουσιάζει πολύ καλές ιδιότητες υψηλής ευκρίνειας, αυξημένης αντοχής ως χρήση προστατευτικής «μάσκας» για τεχνικές ξηρής χάραξης και παρουσιάζει υψηλή ευαισθησία έκθεσης για δημιουργία  νανο-λιθογραφικών δομών για την κατασκευαστική διαδικασία νανο-μικροηλεκτρονικών διατάξεων.

• ZEP520A: Resin, Molecular weight: 57000, Viscosity: 11 mPa*s, Solvent: Anisol
• ZED-N50: Developer, Composition: n-Amyl Acetate
• ZDMAC: Remover, Composition: Dimethylacetamide

Procedure

Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,7% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,07% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.

Contact Persons

Abstract

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Technical Characteristics

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Procedure

Contact Persons

Abstract

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Technical Characteristics

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Procedure

Προμήθεια λογισμικού ελέγχου μηχανής  

3DPoli software, 3DPoli software support 3 years, 3DPoli upgrade for autofocus

Contact Persons

Abstract

Technical Characteristics

Αντικείμενο του διαγωνισμού: Η επιλογή αναδόχου για το έργο «Προμήθεια αναλυτή ηλεκτρικού σήματος».
Τα προς προμήθεια είδη κατατάσσονται στους ακόλουθους κωδικούς του Κοινού Λεξιλογίου δημοσίων συμβάσεων (CPV): 38300000-8 (Όργανα μετρήσεων)
Αναθέτουσα Αρχή: Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας – Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ (ΙΗΔΛ ΙΤΕ), Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα
Υπηρεσία διενέργειας: Τμήμα Προμηθειών ΙΤΕ, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, 70013, Βασιλικά Βουτών, Ηράκλειο, Ελλάδα, Τηλ.: +30 2810 391515, -1516, -1572, -1235 FAX: +30 2810 391555, E-mail: procurement@admin.forth.gr.
Συνολικός προϋπολογισμός έργου: 34.650,00 €, μη συμπεριλαμβανομένου Φ.Π.Α.
Χρηματοδότηση του έργου: To έργο χρηματοδοτείται από την Πράξη Πράξη «INNOVATIVE POLYMER-BASED COMPOSITE SYSTEMS FOR HIGH-EFFICIENT ENERGY SCAVENGING AND STORAGE – InComEss, GA 862597, της Δράσης: «H2020-NMBP-ST-IND-2018-2020 / H2020-NMBP-ST-IND2019» που χρηματοδοτείται από την Ευρωπαϊκή Ένωση
Απόφαση Ανάληψης Υποχρέωσης: E070000559/18.06.2020, ΑΔΑ E070000559
Τόπος παράδοσης: Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Ηράκλειο Κρήτης
Δικαίωμα συμμετοχής έχει κάθε ενδιαφερόμενος, φυσικό ή νομικό πρόσωπο ή ένωση / κοινοπραξία αυτών που ασκούν δραστηριότητες σύμφωνα με το προκηρυσσόμενο έργο.
Κριτήρια αξιολόγησης προσφορών και κατακύρωσης: H πλέον συμφέρουσα από οικονομική άποψη προσφορά με βάση την βέλτιστη σχέση ποιότητας και τιμής.
Οι υποψήφιοι μπορούν να υποβάλουν προσφορές μόνον για το σύνολο του έργου, όπως ορίζει η ∆ιακήρυξη.
Εναλλακτικές προσφορές: δεν γίνονται δεκτές εναλλακτικές προσφορές.
Διάρκεια της σύμβασης : τρείς (3) μήνες από την υπογραφή της σύμβασης.
Τροποποίηση της σύμβασης. Η αναθέτουσα Αρχή διατηρεί το δικαίωμα τροποποίησης της σύμβαση, χωρίς νέα διαδικασία σύναψης σύμβασης, σύμφωνα με τους όρους και τις προϋποθέσεις του άρθρου 132, ν. 4412/2016 ΑΔΑ: 6Π81469ΗΚΥ-6ΙΕ 
Τα έγγραφα του διαγωνισμού και συμπληρωματικές πληροφορίες/διευκρινίσεις διατίθενται: α) ηλεκτρονικά μέσω της ιστοσελίδας του ΙΤΕ στην ηλεκτρονική διεύθυνση: https://www.forth.gr/index_main.php?c=45&l=g και β) από το Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Τμήμα Προμηθειών, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα, +30 2810 39-1515, -1516, -1572, -1235 FAX: +30 2810 391555, E-mail: procurement@admin.forth.gr όλες τις εργάσιμες ημέρες και ώρες.
Οι προσφορές υποβάλλονται στο Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Α’ όροφος –Κεντρική Διεύθυνση, Τμήμα Προμηθειών Γ292, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα, είτε ιδιοχείρως είτε µε συστημένη επιστολή ή ιδιωτικό ταχυδρομείο (courier) (με την απαραίτητη προϋπόθεση ότι θα περιέρχονται στην Υπηρεσία Διενέργειας μέχρι την ημέρα και ώρα διενέργειας του διαγωνισμού, με ευθύνη του Προσφέροντος)
Καταληκτική ημερομηνία υποβολής προσφορών ορίζεται η 07/07/2020, ημέρα Τρίτη και ώρα 12:00.
Ημερομηνία, ώρα και τόπος αποσφράγισης: 07/07/2020 ημέρα Τρίτη και ώρα 12:00, Τμ. Προμηθειών ΙΤΕ Γ292, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα. 18. Εγγυήσεις: Με την υπογραφή σύμβασης, εγγυητική επιστολή καλής εκτέλεσης όρων σύμβασης ύψους ποσοστού 5% της συνολικής συμβατικής αξίας του έργου χωρίς ΦΠΑ.
Παράδοση: Σύμφωνα µε τα οριζόμενα στη ∆ιακήρυξη.
Βασικοί τρόποι πληρωμής: Σύμφωνα µε τα οριζόμενα στη ∆ιακήρυξη.
Κατ’ ελάχιστον πληροφοριακά στοιχεία και διατυπώσεις σχετικά με την κατάσταση του κάθε υποψηφίου που θα απαιτηθούν για την αξιολόγηση: Όπως αναφέρονται στη Διακήρυξη
Περίοδος κατά την οποία ο υποψήφιος δεσμεύεται από την προσφορά του: τέσσερις (4) μήνες.
Γλώσσα του ∆ιαγωνισμού: Ελληνική.
Ημερομηνία Ανάρτησης της προκήρυξης στην ιστοσελίδα του ΙΤΕ (https://www.forth.gr/index_main.php?c=45&l=g) στο Πρόγραμμα ΔΙ@ΥΓΕΙΑ, στο ΚΗΜΔΗΣ: 23/06/2020.

Procedure

Contact Persons

Related Documents

• 4-perilipsi_analyser.pdf

Abstract

SnS crystals (Tin Sulfide), item:1

Tin Selenide (SnSe), item:1

Germanium Sulphide (GeS), item:1

Tungsten Disulfide (WS₂), item:1

Tungsten Diselenide (WSe₂), item:1

h-BN (Large size), item:1

Technical Characteristics

SnS crystals (Tin Sulfide), item:1 

Characteristics of vdW SnS crystals

Crystal size: 10mm or larger

Materials properties: Indirect gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal

Unit cell parameters: a = b = 0.368, c= 0.582 nm, α = β = 90⁰, γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional chemical vapor transport] Halide contamination is common

Purity: 99.9999% confirmed

Tin Selenide (SnSe), item:1 

SnSe single crystals characteristics

Crystal size: 1cm in size

Materials properties: Thermoelectric semiconductor (anisotropic semiconductor)

Crystal structure: Pnma [62]

Unit cell parameters: a = 0.421nm, b = 0.452 nm, c= 1.181 nm, α = β = γ = 90⁰

Growth method: Bridgman growth technique

Purity: 99.9999% confirmed

Germanium Sulphide (GeS), item:1 

Crystal size: Larger than 1cm

Materials properties: 1.65 eV semiconductor, anisotropic 2D material

Crystal structure: Orthorhombic

Unit cell parameters: a = 1.453, b = 0.365nm, c= 0.435 nm, α = β = γ =90⁰

Growth method: Flux zone (guaranteed no halide contamination)

                               [On request: chemical vapor transport (CVT) contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides]

Purity: 99.9999% confirmed

For the cases of Tin Sulfide (SnS), Tin Selenide (SnSe) and Germanium Sulphide (GeS), high quality bulk crystals are required for series of experiments. There are reports with different experimental results for these crystals indicating that products differ with respect to the company that develops them. We have preliminary results using crystals from “2D semiconductors” and for consistency we would like to purchase from the same company.

Tungsten Disulfide (WS₂), item:1 

Typical characteristics of WS2 crystals from 2Dsemiconductors

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 2.02 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.317nm, c= 1.230 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halidesPurity: 99.9999% confirmed

Purity: 99.9999% confirmed

Tungsten Diselenide (WSe₂), item:1 

Characteristics of WSe2 crystals from 2Dsemiconductors USA

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 1.62 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.331nm, c= 1.298 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides

Purity: 99.9999% confirmed

h-BN (Large size), item:1 

The properties of large size h-BN crystals

Sample size: Contains 3-4 crystals. Each measure < 5mm in size

Materials properties: 2D dielectric / insulator

Production method: Epitaxial solidification technique

Characterization method: SIMS, XRD, EDS, Raman (see product images)

For the cases of WS₂, WSe₂ and h-BN crystals, adding to consistency which is important to our experiments as we stated before, we would like to acquire crystals grown with flux zone method. We want to study the communication between flake of different crystals and it is reported that this phenomenon is more likely to happen for crystals grown with the referred method. “2D Semiconductors” offer high quality flux zone crystals that we think will be the optimal choice for our experiments.  

Procedure

SnS crystals (Tin Sulfide), item:1 

Characteristics of vdW SnS crystals

Crystal size: 10mm or larger

Materials properties: Indirect gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal

Unit cell parameters: a = b = 0.368, c= 0.582 nm, α = β = 90⁰, γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional chemical vapor transport] Halide contamination is common

Purity: 99.9999% confirmed

Tin Selenide (SnSe), item:1 

SnSe single crystals characteristics

Crystal size: 1cm in size

Materials properties: Thermoelectric semiconductor (anisotropic semiconductor)

Crystal structure: Pnma [62]

Unit cell parameters: a = 0.421nm, b = 0.452 nm, c= 1.181 nm, α = β = γ = 90⁰

Growth method: Bridgman growth technique

Purity: 99.9999% confirmed

Germanium Sulphide (GeS), item:1 

Crystal size: Larger than 1cm

Materials properties: 1.65 eV semiconductor, anisotropic 2D material

Crystal structure: Orthorhombic

Unit cell parameters: a = 1.453, b = 0.365nm, c= 0.435 nm, α = β = γ =90⁰

Growth method: Flux zone (guaranteed no halide contamination)

                               [On request: chemical vapor transport (CVT) contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides]

Purity: 99.9999% confirmed

For the cases of Tin Sulfide (SnS), Tin Selenide (SnSe) and Germanium Sulphide (GeS), high quality bulk crystals are required for series of experiments. There are reports with different experimental results for these crystals indicating that products differ with respect to the company that develops them. We have preliminary results using crystals from “2D semiconductors” and for consistency we would like to purchase from the same company.

Tungsten Disulfide (WS₂), item:1 

Typical characteristics of WS2 crystals from 2Dsemiconductors

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 2.02 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.317nm, c= 1.230 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halidesPurity: 99.9999% confirmed

Purity: 99.9999% confirmed

Tungsten Diselenide (WSe₂), item:1 

Characteristics of WSe2 crystals from 2Dsemiconductors USA

Crystal size: ~1cm in size

Dopants: Undoped (intrinsic semiconductor)

Materials properties: 1.62 eV emission (300K), direct gap semiconductor

Crystal structure: Hexagonal phase

Unit cell parameters: a = b = 0.331nm, c= 1.298 nm, α = β = 90⁰ , γ = 120⁰

Growth method: [Default] Flux zone (no halide contamination) defect free

                               [Optional CVT]: Contains Br₂, Cl₂, TeCl_4, and other halides

Purity: 99.9999% confirmed

h-BN (Large size), item:1 

The properties of large size h-BN crystals

Sample size: Contains 3-4 crystals. Each measure < 5mm in size

Materials properties: 2D dielectric / insulator

Production method: Epitaxial solidification technique

Characterization method: SIMS, XRD, EDS, Raman (see product images)

For the cases of WS₂, WSe₂ and h-BN crystals, adding to consistency which is important to our experiments as we stated before, we would like to acquire crystals grown with flux zone method. We want to study the communication between flake of different crystals and it is reported that this phenomenon is more likely to happen for crystals grown with the referred method. “2D Semiconductors” offer high quality flux zone crystals that we think will be the optimal choice for our experiments.  

Contact Persons

Abstract

Συνοπτικός διαγωνισμός για την επιλογή αναδόχου για την «Προμήθεια laser ευρέως μεταβλητού μήκους κύματος», στο πλαίσιο της Πράξης «Spin-valley πόλωση σε δισδιάστατα υλικά και στις van der Waals ετεροδομές» - HETEROVALLEY/HFRI-FM17, της Δράσης «1η Προκήρυξη Ερευνητικών έργων ΕΛΙΔΕΚ για μέλη ΔΕΠ και ερευνητές/τριες και την προμήθεια ερευνητικού εξοπλισμού μεγάλης αξίας» που χρηματοδοτείται από το Ελληνικό Ίδρυμα Έρευνας και Καινοτομίας (ΕΛΙΔΕΚ)με αρ. Σύμβασης Έργου 3034, με κριτήριο ανάθεσης τη συμφερότερη προσφορά βάσει βέλτιστης σχέσης ποιότητας και τιμής.

Technical Characteristics

Αντικείμενο του διαγωνισμού: Η επιλογή αναδόχου για το έργο «Προμήθεια laser ευρέως μεταβλητού μήκους κύματος».
Τα προς προμήθεια είδη κατατάσσονται στους ακόλουθους κωδικούς του Κοινού Λεξιλογίου δημοσίων συμβάσεων (CPV): 38300000-8 (Όργανα μετρήσεων)
Αναθέτουσα Αρχή: Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας – Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ (ΙΗΔΛ ΙΤΕ), Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα, Υπηρεσία διενέργειας: Τμήμα Προμηθειών ΙΤΕ, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, 70013, Βασιλικά Βουτών, Ηράκλειο, Ελλάδα, Τηλ.: +30 2810 391515, -1516, -1572, -1235 FAX: +30 2810 391555, E-mail: procurement@admin.forth.gr.
Συνολικός προϋπολογισμός έργου: 31.129,00 €, μη συμπεριλαμβανομένου Φ.Π.Α.
Χρηματοδότηση του έργου: To έργο χρηματοδοτείται από την Πράξη Πράξη : «Spin-valley πόλωση σε δισδιάστατα υλικά και στις van der Waals ετεροδομές» - HETEROVALLEY/HFRI-FM17, της Δράσης «1η Προκήρυξη Ερευνητικών έργων ΕΛΙΔΕΚ για μέλη ΔΕΠ και ερευνητές/τριες και την προμήθεια ερευνητικού εξοπλισμού μεγάλης αξίας» που χρηματοδοτείται από το Ελληνικό Ίδρυμα Έρευνας και Καινοτομίας (ΕΛΙΔΕΚ)με αρ. Σύμβασης Έργου 3034
Απόφαση Ανάληψης Υποχρέωσης: E070000468/09.03.2020,ΑΔΑ 6ΛΓΝ469ΗΚΥ-ΦΘΔ.
Τόπος παράδοσης: Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Ηράκλειο Κρήτης
Δικαίωμα συμμετοχής έχει κάθε ενδιαφερόμενος, φυσικό ή νομικό πρόσωπο ή ένωση / κοινοπραξία αυτών που ασκούν δραστηριότητες σύμφωνα με το προκηρυσσόμενο έργο.
Κριτήρια αξιολόγησης προσφορών και κατακύρωσης: H πλέον συμφέρουσα από οικονομική άποψη προσφορά με βάση τη βέλτιστη σχέση ποιότητας και τιμής
Οι υποψήφιοι μπορούν να υποβάλουν προσφορές μόνον για το σύνολο του έργου, όπως ορίζει η ∆ιακήρυξη.
Εναλλακτικές προσφορές: δεν γίνονται δεκτές εναλλακτικές προσφορές.
Διάρκεια της σύμβασης: τρείς (3) μήνες από την υπογραφή της σύμβασης
Τροποποίηση της σύμβασης. Η αναθέτουσα Αρχή διατηρεί το δικαίωμα τροποποίησης της σύμβαση, χωρίς νέα διαδικασία σύναψης σύμβασης, σύμφωνα με τους όρους και τις προϋποθέσεις του άρθρου 132, ν. 4412/2016, ΑΔΑ: Ψ46Η469ΗΚΥ-7ΙΤ INFORMATICS DEVELOPMEN T AGENCY Digitally signed by INFORMATICS DEVELOPMENT AGENCY Date: 2020.06.03 14:23:07 EEST Reason: Location: Athens
Τα έγγραφα του διαγωνισμού και συμπληρωματικές πληροφορίες/διευκρινίσεις διατίθενται: α) ηλεκτρονικά μέσω της ιστοσελίδας του ΙΤΕ στην ηλεκτρονική διεύθυνση: https://www.forth.gr/index_main.php?c=45&l=g και β) από το Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Τμήμα Προμηθειών, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα, +30 2810 39-1515, -1516, -1572, -1235 FAX: +30 2810 391555, E-mail: procurement@admin.forth.gr όλες τις εργάσιμες ημέρες και ώρες.
Οι προσφορές υποβάλλονται στο Ίδρυμα Τεχνολογίας και Έρευνας, Α’ όροφος –Κεντρική Διεύθυνση, Τμήμα Προμηθειών Γ292, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα, είτε ιδιοχείρως είτε µε συστημένη επιστολή ή ιδιωτικό ταχυδροµείο (courier) (με την απαραίτητη προϋπόθεση ότι θα περιέρχονται στην Υπηρεσία Διενέργειας μέχρι την ημέρα και ώρα διενέργειας του διαγωνισμού, με ευθύνη του Προσφέροντος)
Καταληκτική ημερομηνία υποβολής προσφορών ορίζεται η 16/06/2020 ημέρα Τρίτη και ώρα 11:00
Ημερομηνία, ώρα και τόπος αποσφράγισης: 16/06/2020 ημέρα Τρίτη και ώρα 11:00, Τμ. Προμηθειών ΙΤΕ Γ292, Δ/νση: Ν. Πλαστήρα 100, Βασιλικά Βουτών, 70013, Ηράκλειο, Ελλάδα.
Εγγυήσεις: Με την υπογραφή σύμβασης, εγγυητική επιστολή καλής εκτέλεσης όρων σύμβασης ύψους ποσοστού 5% της συνολικής συμβατικής αξίας του έργου χωρίς ΦΠΑ.
Παράδοση: Σύμφωνα µε τα οριζόμενα στη ∆ιακήρυξη.
Βασικοί τρόποι πληρωμής: Σύμφωνα µε τα οριζόμενα στη ∆ιακήρυξη.
Κατ’ ελάχιστον πληροφοριακά στοιχεία και διατυπώσεις σχετικά με την κατάσταση του κάθε υποψηφίου που θα απαιτηθούν για την αξιολόγηση: Όπως αναφέρονται στη Διακήρυξη
Περίοδος κατά την οποία ο υποψήφιος δεσμεύεται από την προσφορά του: τέσσερις (4) μήνες. 23. Γλώσσα του ∆ιαγωνισμού: Ελληνική.
Ημερομηνία Ανάρτησης της προκήρυξης στην ιστοσελίδα του ΙΤΕ (https://www.forth.gr/index_main.php?c=45&l=g) στο Πρόγραμμα ΔΙ@ΥΓΕΙΑ, στο ΚΗΜΔΗΣ: 03/06/2020.
Ισχύουσα νομοθεσία: Ο Διαγωνισμός θα διεξαχθεί σύμφωνα με: το άρθρο 117 του ν.4412/2016 (ΦΕΚ 147 Α΄) και τους όρους της προκήρυξης.
Η Αναθέτουσα Αρχή, εφόσον συντρέχει λόγος διατηρεί το δικαίωμα διακοπής της διαδικασίας σ’ οποιοδήποτε χρονικό σημείο μέχρι την κατακύρωση, χωρίς αυτό να γεννά οποιοδήποτε δικαίωμα στους συμμετέχοντες

Procedure

Contact Persons

Related Documents

• parartimata_leizer_metavlitou.docx

Abstract

Το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ του Ιδρύματος Τεχνολογίας και  Έρευνας (ΙΤΕ-ΙΗΔΛ) στo πλαίσιο εκτέλεσης Προγράμματος “HANDCORE 1789” προτίθεται να προχωρήσει, με απευθείας ανάθεση, στην προμήθεια διόδου laser για την επέκταση της χρήσιμης φασματικής περιοχής υπάρχοντος laser, με τα κάτωθι χαρακτηριστικά:

Technical Characteristics

• Δίοδος laser στην φασματική περιοχή 1220 – 1320 nm
• Ισχύς 100 mW (τουλάχιστον 30 mW σε όλο το φάσμα)
• Αντιανακλαστική (AR) επίστρωση για χρήση σε ECDL (διοδικά laser εξωτερικής κοιλότητας)
• Σύστημα προσαρμογής σε υπάρχουσα κεφαλή laser Toptica DL Pro

Procedure

Προϋπολογισμός δαπάνης :  6.500€ πλέον ΦΠΑ, τραπεζικών εξόδων και εξόδων εκτελωνισμού.

Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,06% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,06% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.

Κριτήριο επιλογής θα είναι η συμφερότερη προσφορά. Θα ληφθούν υπ’όψιν η συμφωνία της προσφοράς με τις τεχνικές προδιαγραφές, η ποιότητα, o χρόνος παράδοσης και εγγύησης, η τιμή.

Contact Persons

Funding

Abstract

Το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ του Ιδρύματος Τεχνολογίας και  Έρευνας (ΙΤΕ-ΙΗΔΛ) στo πλαίσιο εκτέλεσης Προγράμματος “ULTRACHIRAL” προτίθεται να προχωρήσει, με απευθείας ανάθεση, στην προμήθεια Οπτικών με αντιανακλαστικές επιστρώσεις στην φασματική περιοχή 1240-1320 nm, με τα κάτωθι χαρακτηριστικά:

Technical Characteristics

• 3 x πρίσμα Sapphire: διαστάσεις BxΠxY: 90x12x12 mm | γωνία εισόδου (ΑΟΙ) 15 μοίρες | Ανακλαστικότητα R < 0.2% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 15^ο)
• 2 x Quartz πλακίδιο καθυστέρησης φάσης λ/2: Μηδενικής τάξης | διάμετρος 25.4 mm (1 ίντσα) | Ανακλαστικότητα R < 0.15% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 0^ο)
• 2 x Quartz σφηνοειδές πλακίδιο οπτικής περιστροφής (1xR και 1xL): Γωνία σφήνας 5 μοίρες | διάμετρος 12.7 mm (1/2 ίντσα) | Ανακλαστικότητα R < 0.15% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 0^ο)
• 2 x Quartz παράθυρα: Οπτικός άξονας παράλληλος στην επιφάνεια | διάμετρος 12.7 mm (1/2 ίντσα) | Ανακλαστικότητα R < 0.15% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 0^ο)

Procedure

Προϋπολογισμός δαπάνης :  5.000 € πλέον ΦΠΑ και εξόδων εκτελωνισμού.

Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,06% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,06% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.

Κριτήριο επιλογής θα είναι η συμφερότερη προσφορά. Θα ληφθούν υπ’όψιν η συμφωνία της προσφοράς με τις τεχνικές προδιαγραφές, η ποιότητα, o χρόνος παράδοσης και εγγύησης, η τιμή.

Contact Persons

Funding

Abstract

Mandatory Features:
60 dB optical isolator
AR coated laser diode with gain over 765 nm - 805 nm and peak power > 100 mW after the isolator

Typical short term linewidth [5μs]: 50 kHz and long term Frequency stability << 100 MHz/K
Mode-hop free tuning 30-50 GHz
  
Laser electronics must include:

- scanning / signal display / locking, 

- automatic relock, 

- data recording for spectroscopy and component testing

- Lock-In signal generation

Optional Features:
Locking electronics performance:
Should include two PIDs for each connected laser
Automatic optimization of lock parameters incl. PID settings
Graphical PC user interface as well as command based (USB+TCP/IP) interface for remote control

Laser electronics must include:

- scanning, 

- signal display, 

- locking, 

- FFT for lock analysis, 

- power stabilization etc.

- touch display
- Should include option for locking top-of-fringe locking

Technical Characteristics

Mandatory Features:
60 dB optical isolator
AR coated laser diode with gain over 765 nm - 805 nm and peak power > 100 mW after the isolator

Typical short term linewidth [5μs]: 50 kHz and long term Frequency stability << 100 MHz/K
Mode-hop free tuning 30-50 GHz
  
Laser electronics must include:

- scanning / signal display / locking, 

- automatic relock, 

- data recording for spectroscopy and component testing

- Lock-In signal generation

Optional Features:
Locking electronics performance:
Should include two PIDs for each connected laser
Automatic optimization of lock parameters incl. PID settings
Graphical PC user interface as well as command based (USB+TCP/IP) interface for remote control

Laser electronics must include:

- scanning, 

- signal display, 

- locking, 

- FFT for lock analysis, 

- power stabilization etc.

- touch display
- Should include option for locking top-of-fringe locking

Procedure

Mandatory Features:
60 dB optical isolator
AR coated laser diode with gain over 765 nm - 805 nm and peak power > 100 mW after the isolator

Typical short term linewidth [5μs]: 50 kHz and long term Frequency stability << 100 MHz/K
Mode-hop free tuning 30-50 GHz
  
Laser electronics must include:

- scanning / signal display / locking, 

- automatic relock, 

- data recording for spectroscopy and component testing

- Lock-In signal generation

Optional Features:
Locking electronics performance:
Should include two PIDs for each connected laser
Automatic optimization of lock parameters incl. PID settings
Graphical PC user interface as well as command based (USB+TCP/IP) interface for remote control

Laser electronics must include:

- scanning, 

- signal display, 

- locking, 

- FFT for lock analysis, 

- power stabilization etc.

- touch display
- Should include option for locking top-of-fringe locking

Contact Persons

Abstract

Το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ του Ιδρύματος Τεχνολογίας και  Έρευνας (ΙΤΕ-ΙΗΔΛ) στo πλαίσιο εκτέλεσης Προγράμματος “HANDCORE 1789” προτίθεται να προχωρήσει, με απευθείας ανάθεση, στην προμήθεια ενισχυτή ακουστικών σημάτων (audio amplifier), με τα κάτωθι χαρακτηριστικά:

Technical Characteristics

- Τελικός ενισχυτής ακουστικών σημάτων (Audio/HiFi amplifier)

- Μονοφωνικός (προτιμητέο)

- Τοπολογία τύπου Α

- Ισχύς τουλάχιστον 400 W ανά κανάλι σε φορτίο 4Ω  (προτιμητέο > 500 W)

- Κοινές συνδεσμολογίες εισόδου/εξόδου (RCA/Analog In | XLR και/ή Speaker out terminals)

Procedure

Προϋπολογισμός δαπάνης :  2.400 ευρώ πλέον ΦΠΑ και εξόδων εκτελωνισμού.

Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,06% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,06% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.

Κριτήριο επιλογής θα είναι η συμφερότερη προσφορά. Θα ληφθούν υπ’όψιν η συμφωνία της προσφοράς με τις τεχνικές προδιαγραφές, η ποιότητα, o χρόνος παράδοσης και εγγύησης, η τιμή.

Contact Persons

Funding