Abstract

Το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ του Ιδρύματος Τεχνολογίας και  Έρευνας (ΙΤΕ-ΙΗΔΛ) στo πλαίσιο εκτέλεσης Προγράμματος  «GA 801055 CHIRON» προτίθεται να προχωρήσει, με απευθείας ανάθεση, στην προμήθεια υποστρωμάτων (GaN on Si Substrates) , με τα κάτωθι χαρακτηριστικά:

Technical Characteristics

Quantity 2 wafers

Substrate specs：

3 inch high resistivity Si substrate

Wafer diameter: 76.0 ± 0.5 mm

Thickness: 500 ± 25 μm

Orientation: (111) just ± 0.1°

Orientation flat:

Orientation : <110> ± 1°

Length: 22.5 ± 2.5 mm

Surface finishing: One-side polished

Resistivity: ≧ 6,000 Ω·cm

Epitaxial layer structure:

Substrate: Si,       

1^st layer: Buffer layer 300nm

2^nd layer: i-GaN 500nm

Growth method:  MOCVD

Procedure

Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,06% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,06% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.

Κριτήριο επιλογής θα είναι η συμφερότερη προσφορά. Θα ληφθούν υπόψιν η συμφωνία της προσφοράς με τις τεχνικές προδιαγραφές, η ποιότητα, o χρόνος παράδοσης και εγγύησης, η τιμή.

Για το  ΙΗΔΛ – ΙΤΕ

Ο Διευθυντής

Σπύρος Αναστασιάδης

Contact Persons