Position Description

Ο μεταδιδακτορικός ερευνητής θα απασχοληθεί στα πλαίσια της Ενότητας Εργασίας 3 με την σύνθεση πολυμερών και νανοσύνθετων υλικών και την βελτιστοποίηση της διασποράς ανοργάνου σε πολυμερική μήτρα (Υποενέργεια 3.1.1), με τον φασματοσκοπικό χαρακτηρισμό των υλικών αυτών (Υποενέργεια 3.2.3) και την μελέτη των επιφανειακών ιδιοτήτων τους (Υποενέργεια 3.2.4).

Required Qualifications

• Πτυχίο φυσικών επιστημών (φυσική, χημεία, επιστήμης υλικών) ή μηχανικού  
• Μεταπτυχιακό σε φυσικές επιστήμες  
• Διδακτορικό δίπλωμα σε φυσικές επιστήμες με ειδίκευση σε νανοδομημένα υλικά και διατάξεις  
• Προηγούμενη εμπειρία σε εργαστήρια μελέτης και χαρακτηρισμού νανοδομημένων συστημάτων και γνώση σχετικών πειραματικών τεχνικών  
• Προηγούμενη εμπειρία σε χημεία υλικών  
• Άριστη γνώση της αγγλικής γλώσσας  

Application Procedure

Στον φάκελο υποβολής της πρότασης θα πρέπει να εμπεριέχονται τα ακόλουθα:

• Αίτηση (Form Greek στην αριστερή στήλη) με αναφορά στον κωδικό της θέσης και στο όνομα του προγράμματος
• Αναλυτικό Βιογραφικό Σημείωμα
• Ευκρινή φωτοαντίγραφα τίτλων σπουδών

Οι ενδιαφερόμενοι καλούνται να υποβάλουν τις αιτήσεις τους και όλα τα απαραίτητα δικαιολογητικά, ηλεκτρονικά στη διεύθυνση hr@iesl.forth.gr με κοινοποίηση (cc): στην Δρ Κ. Χρυσοπούλου (kiki@iesl.forth.gr), εντός δεκαπέντε (15) ημερολογιακών ημερών από τη δημοσίευση της παρούσας πρόσκλησης.

Οι αιτήσεις θα πρέπει να αποσταλούν με την ένδειξη: «Αίτηση στο πλαίσιο του προγράμματος INNOVATION-EL, της πρόσκλησης εκδήλωσης ενδιαφέροντος με Α.Π. … και κωδικό θέσης … » (όπως αυτός αναφέρεται στον Πίνακα του Παραρτήματος).

Appointment Duration

Position Description

Post-doc

The position concerns designing and optimization of metamaterial-based electronic circuit components. For that reason metamaterials with permittivity near zero, permeability near zero, impedance near zero or very large impedance need to be designed and combined properly with circuit components. The candidate will be required to optimize related structures and meet performance goals at the design level. Good understanding of electronics as well as metamaterials is a prerequisite (see Required qualifications).

Senior Researcher

The position concerns analysis of electromagnetic wave interaction with complex media such as integrated circuit components. The aim is to guide the research activity and provide insight to tailor the characteristics towards enhancing the performance or reducing the size of the components or both.

Related Project

Required Qualifications

Post-doc

• Bachelor in Electrical Engineering (30%)
• PhD on subject relevant with the position (30%)
• Experience (at least 2 years) in the study of metamaterials (20%)

Senior Researcher

• Bachelor in Electrical Engineering (10%)
• PhD in Physics (20%)
• Experience (at least 10 years) in the study of metamaterials (30%)
• E/M wave interaction with complex media (30%)

Desirable Qualifications

Post-doc

Knowledge of a solver for accurate solution of Maxwell equations in complex structures (e.g. CST, Comsol) (20%)

Senior Researcher

• Prior experience (>20 years) in international academic environments (5%)
• Prior experience in semiconductor related components (5%)

Application Procedure

Interested candidates who meet the aforementioned requirements are kindly asked to submit their applications, no later than May 28, 2019, 23:59 local Greece time to the address (hr@iesl.forth.gr), with cc to Prof. Maria Kafesaki (kafesaki@iesl.forth.gr).

In order to be considered, the application must include:

• Application Form  (please download file, Form English or Form Greek on the left)
• Brief CV
• Scanned copies of academic titles

Appointment Duration

Funding

Abstract

Το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ του Ιδρύματος Τεχνολογίας και  Έρευνας (ΙΤΕ-ΙΗΔΛ) στo πλαίσιο εκτέλεσης Προγράμματος “HANDCORE 1789” προτίθεται να προχωρήσει, με απευθείας ανάθεση, στην προμήθεια διόδου laser για την επέκταση της χρήσιμης φασματικής περιοχής υπάρχοντος laser, με τα κάτωθι χαρακτηριστικά:

Technical Characteristics

• Δίοδος laser στην φασματική περιοχή 1220 – 1320 nm
• Ισχύς 100 mW (τουλάχιστον 30 mW σε όλο το φάσμα)
• Αντιανακλαστική (AR) επίστρωση για χρήση σε ECDL (διοδικά laser εξωτερικής κοιλότητας)
• Σύστημα προσαρμογής σε υπάρχουσα κεφαλή laser Toptica DL Pro

Procedure

Προϋπολογισμός δαπάνης :  6.500€ πλέον ΦΠΑ, τραπεζικών εξόδων και εξόδων εκτελωνισμού.

Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,06% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,06% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.

Κριτήριο επιλογής θα είναι η συμφερότερη προσφορά. Θα ληφθούν υπ’όψιν η συμφωνία της προσφοράς με τις τεχνικές προδιαγραφές, η ποιότητα, o χρόνος παράδοσης και εγγύησης, η τιμή.

Contact Persons

Funding

Abstract

Το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ του Ιδρύματος Τεχνολογίας και  Έρευνας (ΙΤΕ-ΙΗΔΛ) στo πλαίσιο εκτέλεσης Προγράμματος “ULTRACHIRAL” προτίθεται να προχωρήσει, με απευθείας ανάθεση, στην προμήθεια Οπτικών με αντιανακλαστικές επιστρώσεις στην φασματική περιοχή 1240-1320 nm, με τα κάτωθι χαρακτηριστικά:

Technical Characteristics

• 3 x πρίσμα Sapphire: διαστάσεις BxΠxY: 90x12x12 mm | γωνία εισόδου (ΑΟΙ) 15 μοίρες | Ανακλαστικότητα R < 0.2% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 15^ο)
• 2 x Quartz πλακίδιο καθυστέρησης φάσης λ/2: Μηδενικής τάξης | διάμετρος 25.4 mm (1 ίντσα) | Ανακλαστικότητα R < 0.15% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 0^ο)
• 2 x Quartz σφηνοειδές πλακίδιο οπτικής περιστροφής (1xR και 1xL): Γωνία σφήνας 5 μοίρες | διάμετρος 12.7 mm (1/2 ίντσα) | Ανακλαστικότητα R < 0.15% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 0^ο)
• 2 x Quartz παράθυρα: Οπτικός άξονας παράλληλος στην επιφάνεια | διάμετρος 12.7 mm (1/2 ίντσα) | Ανακλαστικότητα R < 0.15% ανά επιφάνεια (@1270 nm & ΑΟΙ 0^ο)

Procedure

Προϋπολογισμός δαπάνης :  5.000 € πλέον ΦΠΑ και εξόδων εκτελωνισμού.

Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,06% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,06% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.

Κριτήριο επιλογής θα είναι η συμφερότερη προσφορά. Θα ληφθούν υπ’όψιν η συμφωνία της προσφοράς με τις τεχνικές προδιαγραφές, η ποιότητα, o χρόνος παράδοσης και εγγύησης, η τιμή.

Contact Persons

Funding

Position Description

Ανάπτυξη μικροδομών και ηλεκτροδίων

Required Qualifications

• Πτυχίο φυσικού ή ηλεκτρονικού μηχανικού τεχνολογικών εφαρμογών  
• Τουλάχιστον πενταετή εργασιακή εμπειρία σε περιβάλλον στείρων χωρών μίκρο-νάνο-ηλεκτρονικής
• Τουλάχιστον πενταετή εμπειρία σε φωτολιθογραφικές μεθόδους διαχείρισης ρητινών μεγάλου πάχους για την κατασκευή μικροδομών  

Desirable Qualifications

• Τουλάχιστον πενταετή εργασιακή εμπειρία σε χρήση εξαχνωτών με δέσμη ηλεκτρονίων σε περιβάλλον υπερ-υψηλού κενού  

Application Procedure

Στο φάκελο υποβολής της πρότασης θα πρέπει να εμπεριέχονται τα ακόλουθα:

• Αίτηση (Form Greek στην αριστερή στήλη) με αναφορά στον κωδικό της θέσης και στο όνομα του προγράμματος
• Αναλυτικό Βιογραφικό Σημείωμα
• Ευκρινή φωτοαντίγραφα τίτλων σπουδών

Οι ενδιαφερόμενοι καλούνται να υποβάλουν τις αιτήσεις τους και όλα τα απαραίτητα δικαιολογητικά, ηλεκτρονικά στη διεύθυνση hr@iesl.forth.gr με κοινοποίηση (cc) στον Δρ Γ. Κωνσταντινίδη aek@physics.uoc.gr, εντός δεκαπέντε (15) ημερολογιακών ημερών από τη δημοσίευση της παρούσας πρόσκλησης.

Οι αιτήσεις θα πρέπει να αποσταλούν με την ένδειξη: «Αίτηση στο πλαίσιο του προγράμματος ΠΟΙΟΤΗΤΑ ΖΩΗΣ και της πρόσκλησης εκδήλωσης ενδιαφέροντος με Α.Π. … και κωδικό θέσης … » (όπως αυτός αναφέρεται στον Πίνακα του Παραρτήματος).

Appointment Duration

Position Description

Ανάλυση - Ανίχνευση ασυνεχειών και ομοιοτήτων σημάτων και χρονοσειρών.

Required Qualifications

• Πτυχίο Επιστήμης Υπολογιστών ή Φυσικής
• Ερευνητική εμπειρία σε θέματα συναφή με το αντικείμενο της θέσης, (Ανάλυση σημάτων, ανίχνευση ασυνεχειών και ομοιοτήτων σημάτων και χρονοσειρών)  

Desirable Qualifications

Γνώση γλωσσών προγραμματισμού C++, MATLAB, Python

Application Procedure

Οι ενδιαφερόμενοι καλούνται να υποβάλουν τις αιτήσεις τους και όλα τα απαραίτητα δικαιολογητικά, ηλεκτρονικά στη διεύθυνση hr@iesl.forth.gr με κοινοποίηση (cc): στον Δρ Γ. Κενακάκη (gkenanak@iesl.forth.gr), εντός δεκαπέντε (15) ημερολογιακών ημερών από τη δημοσίευση της παρούσας πρόσκλησης.

Οι αιτήσεις θα πρέπει να αποσταλούν με την ένδειξη: «Αίτηση στο πλαίσιο του προγράμματος POLYSHIELD, της πρόσκλησης εκδήλωσης ενδιαφέροντος με Α.Π. … και κωδικό θέσης … » (όπως αυτός αναφέρεται στον Πίνακα του Παραρτήματος). 

Appointment Duration

Position Description

Ultrafast laser micro/nano structuring 

Required Qualifications

• BSc in Natural sciences (20%)
• PhD thesis relevant to the position topic (30%)
• Experience in the position topic (30%)
• Scientific publications relevant to the topic in international scientific journals (20%)

Application Procedure

In order to be considered, the application must include:

• Application Form (please download file, Form English or Form Greek on the left)
• Brief CV
• Scanned copies of academic titles

Appointment Duration

Position Description

BEC experiment with the aim of developing smooth waveguieds for atom interferometry. Supervision of space optics related projects.

Required Qualifications

• Working experience in the field of Bose-Einstein Condensation 
• Experience in space optics 

Desirable Qualifications

Experience in

• Stabilized diode lasers 
• fibre laser applications 
• fibre optics 

Application Procedure

Interested candidates who meet the aforementioned requirements are kindly asked to submit their applications, no later than May 5, 2020, 23:59 local Greece time to the address (hr@iesl.forth.gr), with cc to the Scientific Coordinator Dr Wolf von Klitzing (wvk@iesl.forth.gr).

In order to be considered, the application must include:

• Application Form (please download file, Form English or Form Greek on the left)
• Brief CV
• Scanned copies of academic titles

Appointment Duration

Abstract

Mandatory Features:
60 dB optical isolator
AR coated laser diode with gain over 765 nm - 805 nm and peak power > 100 mW after the isolator

Typical short term linewidth [5μs]: 50 kHz and long term Frequency stability << 100 MHz/K
Mode-hop free tuning 30-50 GHz
  
Laser electronics must include:

- scanning / signal display / locking, 

- automatic relock, 

- data recording for spectroscopy and component testing

- Lock-In signal generation

Optional Features:
Locking electronics performance:
Should include two PIDs for each connected laser
Automatic optimization of lock parameters incl. PID settings
Graphical PC user interface as well as command based (USB+TCP/IP) interface for remote control

Laser electronics must include:

- scanning, 

- signal display, 

- locking, 

- FFT for lock analysis, 

- power stabilization etc.

- touch display
- Should include option for locking top-of-fringe locking

Technical Characteristics

Mandatory Features:
60 dB optical isolator
AR coated laser diode with gain over 765 nm - 805 nm and peak power > 100 mW after the isolator

Typical short term linewidth [5μs]: 50 kHz and long term Frequency stability << 100 MHz/K
Mode-hop free tuning 30-50 GHz
  
Laser electronics must include:

- scanning / signal display / locking, 

- automatic relock, 

- data recording for spectroscopy and component testing

- Lock-In signal generation

Optional Features:
Locking electronics performance:
Should include two PIDs for each connected laser
Automatic optimization of lock parameters incl. PID settings
Graphical PC user interface as well as command based (USB+TCP/IP) interface for remote control

Laser electronics must include:

- scanning, 

- signal display, 

- locking, 

- FFT for lock analysis, 

- power stabilization etc.

- touch display
- Should include option for locking top-of-fringe locking

Procedure

Mandatory Features:
60 dB optical isolator
AR coated laser diode with gain over 765 nm - 805 nm and peak power > 100 mW after the isolator

Typical short term linewidth [5μs]: 50 kHz and long term Frequency stability << 100 MHz/K
Mode-hop free tuning 30-50 GHz
  
Laser electronics must include:

- scanning / signal display / locking, 

- automatic relock, 

- data recording for spectroscopy and component testing

- Lock-In signal generation

Optional Features:
Locking electronics performance:
Should include two PIDs for each connected laser
Automatic optimization of lock parameters incl. PID settings
Graphical PC user interface as well as command based (USB+TCP/IP) interface for remote control

Laser electronics must include:

- scanning, 

- signal display, 

- locking, 

- FFT for lock analysis, 

- power stabilization etc.

- touch display
- Should include option for locking top-of-fringe locking

Contact Persons