NITROHEMT
Novel heterostructures based on AlN and InN for high mobility transistors

Αντικείμενο έρευνας του έργου αποτελεί μια νέα γενιά υλικών από ετεροδομές ΙΙΙ-Νιτριδίων που μπορεί να επιτρέψουν μελλοντικά την υλοποίηση διατάξεων HEMT με πρωτοποριακή απόδοση. Οι ετεροδομές αξιοποιούν τα πλεονεκτήματα που προσφέρει η χρήση στρώματος φραγμού AlN ή καναλιού InN. Λεπτά στρώματα φραγμού AlN (πάνω σε κανάλι GaN) μπορούν να δώσουν κανάλια 2DEG με την μέγιστη συγκέντρωση και εγγύτητα ως προς την επιφάνεια, ώστε να είναι δυνατή η κατασκευή Πυλών με τις μικρότερες διαστάσεις στη νανοκλίμακα. Τα κανάλια InN μπορούν να προσφέρουν τις μέγιστες τιμές ευκινησίας χαμηλού πεδίου και ταχύτητας ολίσθησης κόρου μεταξύ των ημιαγωγών ΙΙΙ-Νιτριδίων.  

Το έργο οδηγεί στη ανάπτυξη τεχνογνωσίας για εξειδικευμένο σχεδιασμό ετεροδομών HEMT III-Νιτριδίων, ανάλογα με την επιθυμητή εφαρμογή. Αυτό βασίζεται στη βασική κατανόηση της φυσικής της επιταξιακής ανάπτυξης και των ηλεκτρονικών ιδιοτήτων των ετεροδομών και των επιφανειών τους, συνδυάζοντας εκτεταμένη πειραματική δουλειά και θεωρητικούς υπολογισμούς. Το ερευνητικό έργο προάγει την τεχνογνωσία της ερευνητικής ομάδας στην επίταξη με μοριακές δέσμες με τη βοήθεια πλάσματος αζώτου (PAMBE)  και στον σχεδιασμό ετεροδομών των ΙΙΙ-Νιτριδίων.

Το έργο οδηγεί στη ανάπτυξη τεχνογνωσίας για εξειδικευμένο σχεδιασμό ετεροδομών HEMT III-Νιτριδίων, ανάλογα με την επιθυμητή εφαρμογή. Αυτό βασίζεται στη βασική κατανόηση της φυσικής της επιταξιακής ανάπτυξης και των ηλεκτρονικών ιδιοτήτων των ετεροδομών και των επιφανειών τους, συνδυάζοντας εκτεταμένη πειραματική δουλειά και θεωρητικούς υπολογισμούς. Το ερευνητικό έργο προάγει την τεχνογνωσία της ερευνητικής ομάδας στην επίταξη με μοριακές δέσμες με τη βοήθεια πλάσματος αζώτου (PAMBE)  και στον σχεδιασμό ετεροδομών των ΙΙΙ-Νιτριδίων.

Principal Investigator

Prof. Georgakilas Alexandros
University Faculty Member

Scientific Staff

Prof. Georgakilas Alexandros
University Faculty Member

Funding

ESPA 2014 - 2020 (ΕΣΠΑ)