Abstract
Το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ του Ιδρύματος Τεχνολογίας και Έρευνας (ΙΤΕ-ΙΗΔΛ) στo πλαίσιο εκτέλεσης Προγράμματος «GA 801055 CHIRON» προτίθεται να προχωρήσει, με απευθείας ανάθεση, στην προμήθεια υποστρωμάτων (GaN on Si Substrates) , με τα κάτωθι χαρακτηριστικά:
Technical Characteristics
Quantity 2 wafers
Substrate specs:
3 inch high resistivity Si substrate
Wafer diameter: 76.0 ± 0.5 mm
Thickness: 500 ± 25 μm
Orientation: (111) just ± 0.1°
Orientation flat:
Orientation : <110> ± 1°
Length: 22.5 ± 2.5 mm
Surface finishing: One-side polished
Resistivity: ≧ 6,000 Ω·cm
Epitaxial layer structure:
Substrate: Si,
1st layer: Buffer layer 300nm
2nd layer: i-GaN 500nm
Growth method: MOCVD
Procedure
Eπί της καθαρής αξίας του τιμολογίου οι ακόλουθες νόμιμες κρατήσεις διενεργούνται υπέρ της Ελληνικής Ενιαίας Ανεξάρτητης Αρχής Δημοσίων Συμβάσεων, μία κράτηση ίση προς 0,06% σύμφωνα με το άρθρο 4 παρ.3 του ν. 4013/2011, καθώς και μία κράτηση ίση προς 3,6% επί του ως άνω ποσού (του 0,06% δηλαδή) υπέρ χαρτοσήμου και ΟΓΑ.
Κριτήριο επιλογής θα είναι η συμφερότερη προσφορά. Θα ληφθούν υπόψιν η συμφωνία της προσφοράς με τις τεχνικές προδιαγραφές, η ποιότητα, o χρόνος παράδοσης και εγγύησης, η τιμή.
Για το ΙΗΔΛ – ΙΤΕ
Ο Διευθυντής
Σπύρος Αναστασιάδης