Position Description
Πολαριτονικές δομές GaN και χρήση τους ως πηγές εναγκαλισμένων φωτονίων.
Ο υποψήφιος θα σχεδιάσει, κατασκευάσει και χαρακτηρίσει πολαριτονικές δομές νιτριδίου του γαλλίου με σκοπό την ανίχνευση εναγκαλισμένων φωτονίων που παράγονται από παραμετρικές σκεδάσεις των πολαριτονίων. Οι κύριες τεχνικές που θα χρησιμοποιηθούν είναι αυτές της φωτο-ηλεκτροχημικής χάραξης, της μικρο-φωταύγειας και μικρο-ανακλαστικότητας, και της γωνιακά εξαρτημένης φωταύγειας.
Για το πλήρες κείμενο της πρόσκλησης ακολουθήστε τον σύνδεσμο 'Related Documents'
Required Qualifications
- Πτυχίο Φυσικού, Επιστήμης Υλικών, ή Ηλεκτρολόγου Μηχανικού
- Εμπειρία σε οπτικό, ηλεκτρικό και δομικό χαρακτηρισμό ημιαγωγών νιτριδίου του γαλλίου
- Εμπειρία σε φωτο-ηλεκτροχημική χάραξη μεμβρανών νιτριδίου του γαλλίου
Application Procedure
Στο φάκελο υποβολής της πρότασης θα πρέπει να εμπεριέχονται τα ακόλουθα:
- Αίτηση (form Greek στην αριστερή στήλη) με αναφορά στον κωδικό της θέσης και στο όνομα του προγράμματος
- Αναλυτικό Βιογραφικό Σημείωμα
- Ευκρινή φωτοαντίγραφα τίτλων σπουδών
ΥΠΟΒΟΛΗ ΠΡΟΤΑΣΕΩΝ
Οι ενδιαφερόμενοι καλούνται να υποβάλουν τις αιτήσεις τους και όλα τα απαραίτητα δικαιολογητικά, ηλεκτρονικά στη διεύθυνση hr@iesl.forth.gr με κοινοποίηση (cc): στον καθηγ. Ν. Πελεκάνο (pelekano@materials.uoc.gr).
Οι αιτήσεις θα πρέπει να αποσταλούν με την ένδειξη: «Αίτηση στο πλαίσιο του προγράμματος INNOVATION-EL, της πρόσκλησης εκδήλωσης ενδιαφέροντος με Α.Π. … και κωδικό θέσης … » (όπως αυτός αναφέρεται στον Πίνακα του Παραρτήματος).
