Θέση 4
Ανάπτυξη διηλεκτρικών με την μέθοδο εναπόθεσης ατομικών στρωμάτων σε 2D υλικά. Βελτιστοποίηση παρασκευής και εναπόθεσης υπερ-λεπτών υμενίων διηλεκτρικών σε 2D υλικά
Θέση 6α
Μελέτη νανοδομημένων οξειδίων, με προσμίξεις, κατασκευασμένο με την τεχνική του sputtering, και εφαρμογή σε διάφανα φωτοβολταϊκά βασισμένα σε οξείδια. Εναποθέσεις οξειδίων (με ή χωρίς προσμίξεις) με την τεχνική του sputtering, χαρακτηρισμός του υλικού, εφαρμογή σε διάφανα και υβριδικά φωτοβολταϊκά βασισμένα σε οξείδια και περοβσκίτες.
Για το πλήρες κείμενο της πρόσκλησης ακολουθήστε τον σύνδεσμο 'Related Documents'
Θέση 4
Θέση 6α
Θέση 6α
Στο φάκελο υποβολής της πρότασης θα πρέπει να εμπεριέχονται τα ακόλουθα:
ΥΠΟΒΟΛΗ ΠΡΟΤΑΣΕΩΝ
Οι ενδιαφερόμενοι καλούνται να υποβάλουν τις αιτήσεις τους και όλα τα απαραίτητα δικαιολογητικά, ηλεκτρονικά στη διεύθυνση hr@iesl.forth.gr [7] με κοινοποίηση (cc): για τη θέση 4: στον Δρ Γ. Δεληγεώργη (deligeo@iesl.forth.gr [8]) και για τη θέση 6α: στον Δρ Η. Απεραθίτη (eaper@physics.uoc.gr [9]). Οι αιτήσεις θα πρέπει να αποσταλούν με την ένδειξη: «Αίτηση στο πλαίσιο του προγράμματος ΑΕΝΑΟ, της πρόσκλησης εκδήλωσης ενδιαφέροντος με Α.Π. … και κωδικό θέσης … » (όπως αυτός αναφέρεται στον Πίνακα του Παραρτήματος).
Links
[1] https://www.iesl.forth.gr/people/aperathitis-elias
[2] https://www.iesl.forth.gr/people/deligeorgis-george
[3] https://www.iesl.forth.gr/sites/default/files/formgr.doc
[4] https://www.iesl.forth.gr/sites/default/files/formen.docx
[5] https://www.iesl.forth.gr/sites/default/files/positions/%CE%A8%CE%A5%CE%A0%CE%A7469%CE%97%CE%9A%CE%A5-%CE%9C%CE%99%CE%9A%20%283%29.pdf
[6] https://www.iesl.forth.gr/sites/default/files/positions/9%CE%95%CE%99%CE%A1469%CE%97%CE%9A%CE%A5-%CE%970%CE%95.pdf
[7] mailto:hr@iesl.forth.gr
[8] mailto:deligeo@iesl.forth.gr
[9] mailto:eaper@physics.uoc.gr